FDD86381-F085备选型号: FQD24N08TF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 无铅
- MOSFET N-CH 80V 25A DPAKACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63260.37mgSILICON25A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING21m Ω @ 25A, 10V4V @ 250μA866pF @ 40V21nC @ 10V80V±20V25A0.021Ohm80V14 mJROHS3 Compliant---------
- MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK--表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63--19.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®--Obsolete1 (Unlimited)-------Single--N-Channel-60m Ω @ 9.8A, 10V4V @ 250μA750pF @ 25V25nC @ 10V-±25V19.6A---符合RoHS标准200080V19.6A2.5W105ns35 ns25V80V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 | 对比 |
![]() | FQD24N08TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK | 对比 |




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