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首页 全部分类 FDD9410-F085 vs IPD50N04S408ATMA1

FDD9410-F085备选型号: IPD50N04S408ATMA1

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  • 已出版
  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
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  • 配置
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  • 箱体转运
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDD9410-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
    4 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    260.37mg
    50A Tc
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    260
    not_compliant
    未说明
    1
    Single
    12 ns
    N-Channel
    4.1m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    1715pF @ 25V
    34.5nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    9 ns
    50A
    20V
    40V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50N04S408ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin TO-252 T/R
    12 Weeks
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    -
    -
    46W Tc
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    -
    -
    N-Channel
    7.9m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 17μA
    1780pF @ 6V
    22.4nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    2010
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    40V
    50A
    0.0079Ohm
    200A
    40V
    55 mJ
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