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首页 全部分类 FDFS6N303 vs IRF9389TRPBF

FDFS6N303备选型号: IRF9389TRPBF

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDFS6N303
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    30V
    6A
    2W
    N-Channel
    35m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    350pF @ 15V
    17nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    6 ns
    6A
    1.7V
    20V
    30V
    Schottky Diode (Isolated)
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9389TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    6.8A 4.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2W
    N and P-Channel
    27m Ω @ 6.8A, 10V
    2.3V @ 10μA
    398pF @ 15V
    14nC @ 10V
    14ns
    -
    15 ns
    4.6A
    1.8V
    20V
    30V
    逻辑电平门
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    HEXFET®
    2008
    8
    EAR99
    2W
    鸥翼
    IRF9389
    Dual
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    34A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无
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