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首页 全部分类 FDG312P vs FDG328P

FDG312P备选型号: FDG328P

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  • 终端形式
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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 通道数量
  • 最大结点温度（Tj）
  • ON Semiconductor
    FDG312P
    ON Semiconductor
    P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -1.2 A, 180 mO
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    28mg
    SILICON
    1.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    180mOhm
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -1.2A
    Single
    增强型MOSFET
    750mW
    7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 1.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    330pF @ 10V
    5nC @ 4.5V
    12ns
    20V
    ±8V
    12 ns
    1.2A
    900mV
    8V
    -20V
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG328P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-70 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    28mg
    SILICON
    1.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    145MOhm
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -1.5A
    Single
    增强型MOSFET
    750mW
    9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    145m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    337pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    12ns
    20V
    ±12V
    12 ns
    -1.5A
    -600mV
    12V
    -20V
    1.1mm
    2mm
    1.25mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    1
    150°C
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