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首页 全部分类 FDG314P vs FDY4000CZ

FDG314P备选型号: FDY4000CZ

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 下降时间（典型值）
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  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 无铅
  • 生命周期状态
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  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDG314P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SC-88 (SC-70-6)
    650mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    -25V
    -650mA
    750mW
    P-Channel
    1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    63pF @ 10V
    1.5nC @ 4.5V
    8ns
    25V
    ±8V
    8 ns
    650mA
    8V
    -25V
    63pF
    1.1Ohm
    1.1 Ω
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDY4000CZ
    ON Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    -
    600mA 350mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    600V
    600mA
    625mW
    N and P-Channel
    700m Ω @ 600mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    60pF @ 10V
    1.1nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    -
    13 ns
    600mA
    8V
    -20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    Tin
    32mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    yes
    6
    EAR99
    700MOhm
    防静电
    625mW
    FLAT
    Dual
    增强型MOSFET
    446mW
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    600mV
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    500μm
    1.6mm
    1.2mm
    无SVHC
    无
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