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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.970411
10
¥1.858874
100
¥1.753655
500
¥1.654395
1000
¥1.560749
ON Semiconductor FDG314P
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- 对比
FDG314P
1807-FDG314P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDG314P详情
ON Semiconductor FDG314P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
供应商器件包装
SC-88 (SC-70-6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
650mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
750mW Ta
Turn Off Delay Time
55 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-25V
额定电流
-650mA
功率耗散
750mW
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
63pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.5nC @ 4.5V
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
650mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-25V
输入电容
63pF
漏源电阻
1.1Ohm
最大rds
1.1 Ω
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDG314P拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








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