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首页 全部分类 FDG6306P vs FDG6317NZ

FDG6306P备选型号: FDG6317NZ

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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • ON Semiconductor
    FDG6306P
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    28mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -20V
    300mW
    鸥翼
    -600mA
    Dual
    增强型MOSFET
    300mW
    5.5 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    420m Ω @ 600mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    114pF @ 10V
    2nC @ 4.5V
    14ns
    20V
    14 ns
    600mA
    -1.2V
    12V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG6317NZ
    ON Semiconductor
    PowerTrench® MOSFET, Dual 20V N-Channel, 0.7 A, 400 mO
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    28mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    20V
    300mW
    鸥翼
    700mA
    Dual
    增强型MOSFET
    300mW
    5.5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    400m Ω @ 700mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    66.5pF @ 10V
    1.1nC @ 4.5V
    7ns
    -
    2.5 ns
    700mA
    1.2V
    12V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    560MOhm
    Tin (Sn)
    0.7A
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