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首页 全部分类 FDG6308P vs FDG6335N

FDG6308P备选型号: FDG6335N

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDG6308P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-70 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    28mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    400MOhm
    Tin (Sn)
    -20V
    300mW
    鸥翼
    -600mA
    Dual
    增强型MOSFET
    300mW
    5 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    400m Ω @ 600mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    153pF @ 10V
    2.5nC @ 4.5V
    15ns
    20V
    15 ns
    600mA
    8V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG6335N
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    28mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    300MOhm
    -
    20V
    300mW
    鸥翼
    700mA
    Dual
    增强型MOSFET
    300mW
    5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    300m Ω @ 700mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    113pF @ 10V
    1.4nC @ 4.5V
    7ns
    -
    7 ns
    700mA
    12V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.1mm
    2mm
    1.25mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    1.1V
    0.7A
    150°C
    无SVHC
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