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首页 全部分类 FDG6320C vs FDG6322C

FDG6320C备选型号: FDG6322C

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDG6320C
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-70 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    28mg
    SILICON
    220mA 140mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    4Ohm
    逻辑电平兼容
    300mW
    鸥翼
    220mA
    Dual
    增强型MOSFET
    300mW
    5 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    4 Ω @ 220mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    9.5pF @ 10V
    0.4nC @ 4.5V
    8ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    8 ns
    220mA
    850mV
    8V
    25V
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG6322C
    ON Semiconductor
    Trans Mosfet N/p-ch 25V 0.22A/0.41A 6-PIN SC-70 T/r
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    28mg
    SILICON
    220mA 410mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    4Ohm
    逻辑电平兼容
    300mW
    鸥翼
    220mA
    Dual
    增强型MOSFET
    300mW
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    4 Ω @ 220mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    9.5pF @ 10V
    0.4nC @ 4.5V
    8ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    8 ns
    220mA
    850mV
    8V
    25V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    逻辑电平门
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    850 mV
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