FDG6332C-F085备选型号: FDG6317NZ
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- 生命周期状态
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- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 高度
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- 质量
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Dual N & P-Channel 20 V 300 mOhm 1.5 nC PowerTrench Mosfet - SC-70-6ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)42 Weeks表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YESSILICON700mA 600mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®2017yes活跃1 (Unlimited)6DUAL鸥翼未说明未说明R-PDSO-G6不合格2增强型MOSFET300mWN and P-ChannelSWITCHING300m Ω @ 700mA, 4.5V1.5V @ 250μA113pF @ 10V1.5nC @ 4.5V20VN-CHANNEL AND P-CHANNEL12V0.7A0.3OhmMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门1.1mmROHS3 Compliant----------------------
- PowerTrench® MOSFET, Dual 20V N-Channel, 0.7 A, 400 mOACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363-SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017yes活跃1 (Unlimited)6-鸥翼-----增强型MOSFET300mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING400m Ω @ 700mA, 4.5V1.5V @ 250μA66.5pF @ 10V1.1nC @ 4.5V--12V0.7A-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门1.1mmROHS3 Compliant表面贴装628mge3EAR99560MOhmTin (Sn)20V300mW700mADual5.5 ns7ns2.5 ns700mA1.2V20V2mm1.25mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDG6317NZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PowerTrench® MOSFET, Dual 20V N-Channel, 0.7 A, 400 mO | 对比 |
![]() | FDG6318PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET Dual PCh Digital | 对比 |



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