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FDI030N06备选型号: STFI260N6F6

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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    FDI030N06
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    2.387g
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    231W
    39 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 75A, 10V
    4.5V @ 250μA
    9815pF @ 25V
    151nC @ 10V
    178ns
    ±20V
    33 ns
    193A
    20V
    60V
    772A
    4.83mm
    10.29mm
    9.65mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STFI260N6F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
    OBSOLETE (Last Updated: 7 months ago)
    -
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Full Pack, I2Pak
    3
    2.240009g
    -
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    Single
    -
    -
    31.4 ns
    N-Channel
    -
    3m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    11400pF @ 25V
    183nC @ 10V
    165ns
    ±20V
    62.6 ns
    80A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    STFI260N
    1
    60V
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