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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥23.09992
10
¥21.79238
100
¥20.558846
500
¥19.395138
1000
¥18.297301
Infineon Technologies IRFSL7730PBF
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- 对比
IRFSL7730PBF
1211-IRFSL7730PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 75V 195A TO262
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFSL7730PBF详情
Infineon Technologies IRFSL7730PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
质量
2.084002g
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
195A Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.7V @ 250μA
Turn Off Delay Time
180 ns
Power Dissipation (Max)
375W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
已出版
2013
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.6m Ω @ 100A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13660pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
407nC @ 10V
上升时间
120ns
漏源电压 (Vdss)
75V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
115 ns
连续放电电流(ID)
195A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFSL7730PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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