FDJ1027P备选型号: FDG312P
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
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- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75表面贴装表面贴装SC75-6 FLMP696mg2.8A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT-20V900mW-2.8ADual1.5W2 P-Channel (Dual)160m Ω @ 2.8A, 4.5V1.5V @ 250μA290pF @ 10V4nC @ 4.5V13ns20V13 ns-2.8A8V-20V-20V逻辑电平门-800 mV无SVHC符合RoHS标准无铅---------------------
- P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -1.2 A, 180 mO表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363628mg1.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®活跃1 (Unlimited)--20V--1.2ASingle750mWP-Channel180m Ω @ 1.2A, 4.5V1.5V @ 250μA330pF @ 10V5nC @ 4.5V12ns20V12 ns1.2A8V-20V---无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTinSILICON1999e3yes6EAR99180mOhmDUAL鸥翼增强型MOSFET7 nsSWITCHING±8V900mV1mm2mm1.25mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDG311N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 6-Pin SC-70 T/R | 对比 |
![]() | FDG312P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -1.2 A, 180 mO | 对比 |
![]() | DMN2112SN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 20 V 0.25 Ohm 500 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 | 对比 |





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