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FDJ1027P备选型号: FDMJ1023PZ
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75表面贴装表面贴装SC75-6 FLMP696mg2.8A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT-20V900mW-2.8ADual1.5W2 P-Channel (Dual)160m Ω @ 2.8A, 4.5V1.5V @ 250μA290pF @ 10V4nC @ 4.5V13ns20V13 ns-2.8A8V-20V-20V逻辑电平门-800 mV无SVHC符合RoHS标准无铅
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75表面贴装表面贴装6-WFDFN Exposed Pad7529mg2.9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)--700mW-Dual1.4W2 P-Channel (Dual)112m Ω @ 2.9A, 4.5V1V @ 250μA400pF @ 10V6.5nC @ 4.5V4ns-4 ns-2.9A8V20V-逻辑电平门--符合RoHS标准-- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDG311N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 6-Pin SC-70 T/R | 对比 |
| FDG312P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -1.2 A, 180 mO | 对比 |
 | DMN2112SN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 20 V 0.25 Ohm 500 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 | 对比 |
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