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首页 全部分类 FDMA410NZ vs BSL802SNL6327HTSA1

FDMA410NZ备选型号: BSL802SNL6327HTSA1

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  • 端子位置
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    FDMA410NZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin MicroFET T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    6
    30mg
    SILICON
    9.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    23MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    2.4W
    DRAIN
    7.5 ns
    N-Channel
    23m Ω @ 9.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1080pF @ 10V
    14nC @ 4.5V
    3.9ns
    ±8V
    3.7 ns
    9.5A
    8V
    20V
    700 mV
    750μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSL802SNL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    -
    SILICON
    7.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    10 ns
    N-Channel
    22m Ω @ 7.5A, 2.5V
    750mV @ 30μA
    1347pF @ 10V
    4.7nC @ 2.5V
    30ns
    ±8V
    5.5 ns
    7.5A
    8V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    鸥翼
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    20V
    0.022Ohm
    20V
    77 pF
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