ON Semiconductor FDMA410NZ
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FDMA410NZ
1807-FDMA410NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-VDFN Exposed Pad
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Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin MicroFET T/R
--最小包装量--
FDMA410NZ详情
ON Semiconductor FDMA410NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VDFN Exposed Pad
引脚数
6
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.4W Ta
Turn Off Delay Time
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2009
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
23MOhm
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 9.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1080pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 4.5V
上升时间
3.9ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
3.7 ns
连续放电电流(ID)
9.5A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
栅源电压
700 mV
高度
750μm
长度
2mm
宽度
2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMA410NZ拓展信息
ON Semiconductor
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