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首页 全部分类 FDMA420NZ vs IRF7311TRPBF

FDMA420NZ备选型号: IRF7311TRPBF

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 晶体管应用
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    FDMA420NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    30mg
    SILICON
    5.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    30MOhm
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    900mW
    DRAIN
    9.8 ns
    N-Channel
    30m Ω @ 5.7A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    935pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    8.6ns
    ±12V
    8.6 ns
    5.7A
    830mV
    12V
    24A
    20V
    24A
    750μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7311TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    29mOhm
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    -
    8.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    29m Ω @ 6A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    900pF @ 15V
    27nC @ 4.5V
    17ns
    -
    31 ns
    6.6A
    700mV
    12V
    -
    20V
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    20V
    2W
    鸥翼
    6.6A
    IRF7311PBF
    SWITCHING
    100 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    77 ns
    逻辑电平门
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