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首页 全部分类 FDMA6676PZ vs IRF9328TRPBF

FDMA6676PZ备选型号: IRF9328TRPBF

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMA6676PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 11A
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerWDFN
    6
    21.13402mg
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    260
    not_compliant
    未说明
    Single
    P-Channel
    13.5m Ω @ 11A, 10V
    2.6V @ 250μA
    2160pF @ 15V
    46nC @ 10V
    30V
    ±25V
    11A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9328TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    Single
    P-Channel
    11.9m Ω @ 12A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1680pF @ 25V
    52nC @ 10V
    30V
    ±20V
    -12A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2008
    8
    11.9MOhm
    DUAL
    鸥翼
    1
    增强型MOSFET
    2.5W
    19 ns
    SWITCHING
    57ns
    66 ns
    -1.8V
    20V
    -30V
    96A
    150°C
    -1.8 V
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    无铅
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