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FDMA8051L备选型号: BSZ100N03LSGATMA1
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 附加功能
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 6-Pin MicroFET EP T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)9 Weeks表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad630mgSILICON10A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DUAL无铅未说明未说明1Single增强型MOSFET2.4WDRAIN6.4 nsN-ChannelSWITCHING14m Ω @ 10A, 10V3V @ 250μA1260pF @ 20V20nC @ 10V1.8ns±20V1.8 ns10A20V40V25 pFROHS3 Compliant----------
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON-18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-SILICON12A Ta 40A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011e3no活跃1 (Unlimited)5EAR99-DUAL无铅未说明未说明--增强型MOSFET2.1WDRAIN-N-ChannelSWITCHING10m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 250μA1500pF @ 15V17nC @ 10V2.6ns±20V-12A20V--ROHS3 CompliantTinAVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEnot_compliant8S-PDSO-N5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE无卤素30V含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDD4141 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | ON SEMICONDUCTOR - FDD4141 - Power MOSFET, P Channel, 40 V, 10.8 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount | 对比 |
| BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON | 对比 |
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