FDMA8051L备选型号: FDD4141
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 电阻
- JESD-30代码
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 40V 10A 6-Pin MicroFET EP T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)9 Weeks表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad630mgSILICON10A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DUAL无铅未说明未说明1Single增强型MOSFET2.4WDRAIN6.4 nsN-ChannelSWITCHING14m Ω @ 10A, 10V3V @ 250μA1260pF @ 20V20nC @ 10V1.8ns±20V1.8 ns10A20V40V25 pFROHS3 Compliant---------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDD4141 - Power MOSFET, P Channel, 40 V, 10.8 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Surface MountACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON10.8A Ta 50A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼--1Single增强型MOSFET2.4WDRAIN10 nsP-ChannelSWITCHING12.3m Ω @ 12.7A, 10V3V @ 250μA2775pF @ 20V50nC @ 10V7ns±20V15 ns10.8A20V-40V-ROHS3 CompliantTin12.3MOhmR-PSSO-G240V-1.8VTO-252AA50A150°C-1.8 V2.517mm6.73mm6.22mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS4675 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS4675 - Power MOSFET, P Channel, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Surface Mount | 对比 | |
![]() | BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON | 对比 |




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