FDMA86108LZ备选型号: IRFM120ATF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP8 Weeks表面贴装表面贴装6-VDFN Exposed Pad30mg2.2A Ta3V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4yesACTIVE (Last Updated: 4 days ago)1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)8541.29.00.95260未说明SingleN-Channel243m Ω @ 2.2A, 10V163pF @ 50V3nC @ 10V100V±20V2.2AROHS3 Compliant---------------------------
- Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA188mg2.3A Ta4V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3yesACTIVE (Last Updated: 3 days ago)1 (Unlimited)EAR99----SingleN-Channel200m Ω @ 1.15A, 10V480pF @ 25V22nC @ 10V-±20V2.3AROHS3 CompliantTin3SILICON20024200MOhm100VDUAL鸥翼2.3AR-PDSO-G4增强型MOSFET2.4WDRAIN14 nsSWITCHING14ns28 ns4V20V100V1.7mm6.7mm3.7mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223 | 对比 |




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