Diodes Incorporated DMN10H220LE-13

工厂交货时间

22 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

Turn Off Delay Time

7.9 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

DMN10H22

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

220m Ω @ 1.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

401pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.3nC @ 10V

上升时间

8.2ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.6 ns

连续放电电流(ID)

2.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

DS 击穿电压-最小值

100V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅