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FDMA908PZ备选型号: DMN1019UFDE-7
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- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- JESD-30代码
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET Single P-Channel Power Trench MosfetACTIVE (Last Updated: 4 days ago)16 WeeksGold表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad630mgSILICON12A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99DUAL无铅未说明未说明1Single增强型MOSFET2.4WDRAIN11 nsP-ChannelSWITCHING12.5m Ω @ 12A, 4.5V1V @ 250μA3957pF @ 6V34nC @ 4.5V12ns12V±8V71 ns-12A-600mV8V-12V150°C903 pF850μm2.05mm2.05mmROHS3 Compliant无铅----
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E-14 WeeksGold表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad6-SILICON11A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2017e4yes活跃1 (Unlimited)3EAR99DUAL-260401Single增强型MOSFET-DRAIN7.6 nsN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 9.7A, 4.5V800mV @ 250μA2425pF @ 10V50.6nC @ 8V22.2ns12V±8V16.8 ns11A-8V---580μm2.05mm2.05mmROHS3 Compliant无铅HIGH RELIABILITYR-PDSO-N3无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | 对比 |
| DMP1022UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN | 对比 |
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