Diodes Incorporated DMN1019USN-13
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DMN1019USN-13
671-DMN1019USN-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
--最小包装量--
DMN1019USN-13详情
Diodes Incorporated DMN1019USN-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
质量
7.994566mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V 2.5V
Power Dissipation (Max)
680mW Ta
Turn Off Delay Time
22.2 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
800mV @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
7.6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10m Ω @ 9.7A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2426pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50.6nC @ 8V
上升时间
57.6ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
16.8 ns
连续放电电流(ID)
9.3A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
12V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN1019USN-13拓展信息
Diodes Incorporated
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