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首页 全部分类 FDMB2307NZ vs FDS6898AZ

FDMB2307NZ备选型号: FDS6898AZ

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  • 功率耗散
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
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  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDMB2307NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    12.0024mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    800mW
    FDMB2307
    增强型MOSFET
    2.2W
    12 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    28nC @ 5V
    34ns
    20V
    17 ns
    8A
    1V
    12V
    9.7A
    1.76nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    750μm
    2mm
    3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6898AZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    2W
    -
    增强型MOSFET
    2W
    10 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    23nC @ 4.5V
    15ns
    -
    16 ns
    9.4A
    1V
    12V
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    14MOhm
    防静电
    20V
    鸥翼
    未说明
    9.4A
    未说明
    不合格
    Dual
    900mW
    14m Ω @ 9.4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1821pF @ 10V
    20V
    20V
    1 V
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