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首页 全部分类 FDMC012N03 vs IRF6797MTRPBF

FDMC012N03备选型号: IRF6797MTRPBF

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  • 已出版
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMC012N03
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    152.7mg
    35A Ta 185A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    260
    not_compliant
    未说明
    Single
    16 ns
    N-Channel
    1.23m Ω @ 35A, 10V
    2V @ 250μA
    8183pF @ 15V
    110nC @ 10V
    5.5ns
    30V
    ±12V
    4.5 ns
    185A
    12V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6797MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET-MX
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    -
    36A Ta 210A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e1
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    -
    -
    -
    22 ns
    N-Channel
    1.4m Ω @ 38A, 10V
    2.35V @ 150μA
    5790pF @ 13V
    68nC @ 4.5V
    32ns
    -
    ±20V
    15 ns
    36A
    20V
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2009
    3
    低导通损耗
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    SWITCHING
    25V
    300A
    260 mJ
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无
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