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首页 全部分类 FDMC5614P vs ZXMC4559DN8TA

FDMC5614P备选型号: ZXMC4559DN8TA

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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDMC5614P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    200mg
    SILICON
    5.7A Ta 13.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    100MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -60V
    DUAL
    FLAT
    260
    -5.7A
    30
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    10 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 5.7A, 10V
    3V @ 250μA
    1055pF @ 30V
    20nC @ 10V
    11ns
    60V
    ±20V
    11 ns
    -5.7A
    -1.95V
    20V
    -60V
    23A
    725μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMC4559DN8TA
    Diodes Incorporated
    ZXMC4559DN8 Series 60 V 0.55 Ohm Dual N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOIC-8
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    3.6A 2.6A
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    105mOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    260
    4.7A
    40
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2.1W
    -
    3.5 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 4.5A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    1063pF @ 30V
    20.4nC @ 10V
    4.1ns
    -
    -
    10 ns
    4.7A
    1V
    20V
    60V
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    2.1W
    8
    2
    1.25W
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3.6A
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1 V
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8TA Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) ZXMC4559DN8 Series 60 V 0.55 Ohm Dual N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOIC-8 对比