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首页 全部分类 FDMC6296 vs IRFHM8334TRPBF

FDMC6296备选型号: IRFHM8334TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMC6296
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V Sngl NCh Lgc Lvl PowerTrench MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    165.33333mg
    11.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    2.1W
    10 ns
    N-Channel
    10.5m Ω @ 11.5A, 10V
    3V @ 250μA
    2141pF @ 15V
    19nC @ 5V
    3ns
    ±20V
    8 ns
    11.5A
    1.8V
    20V
    30V
    1.8 V
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8334TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    13A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    2.7W
    8.3 ns
    N-Channel
    9m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1180pF @ 10V
    15nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    4.6 ns
    13A
    1.8V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    17 Weeks
    SILICON
    2013
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    30V
    25A
    0.009Ohm
    30V
    35 mJ
    无
    无铅
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