FDMC6679AZ备选型号: IPU50R2K0CEBKMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • ON Semiconductor
    P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -20A, 10mO
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    23 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    165.33333mg
    SILICON
    11.5A Ta 20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    10MOhm
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    41W
    DRAIN
    12 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 11.5A, 10V
    3V @ 250μA
    3970pF @ 15V
    91nC @ 10V
    14ns
    30V
    ±25V
    46 ns
    11.5A
    -1.8V
    25V
    -30V
    32A
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
    -
    -
    -
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    -
    -
    2.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2013
    -
    no
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    Single
    -
    22W
    -
    6 ns
    N-Channel
    -
    2 Ω @ 600mA, 13V
    3.5V @ 50μA
    124pF @ 100V
    6nC @ 10V
    5ns
    500V
    ±20V
    38 ns
    2.4A
    -
    20V
    550V
    -
    6.22mm
    6.73mm
    2.41mm
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    未说明
    未说明
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