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首页 全部分类 FDMC6688P vs DMP2008UFG-7

FDMC6688P备选型号: DMP2008UFG-7

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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 已出版
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMC6688P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V POWER33
    10 Weeks
    8-PowerWDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    26.8mg
    SILICON
    1V @ 250μA
    2.3W Ta 30W Tc
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    260
    未说明
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 14A, 4.5V
    7435pF @ 10V
    61nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    56A
    MO-240BA
    14A
    0.0065Ohm
    226A
    20V
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2008UFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI
    19 Weeks
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    72.007789mg
    SILICON
    1V @ 250μA
    291 ns
    -
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    260
    40
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 12A, 4.5V
    6909pF @ 10V
    72nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    54A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    2014
    1
    22 ns
    33ns
    124 ns
    8V
    -20V
    3.35mm
    850μm
    3.35mm
    无铅
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