FDMC6688P备选型号: DMP2008UFG-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 已出版
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET P-CH 20V POWER33ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN826.8mgSILICON14A Ta 56A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUAL无铅260not_compliant未说明S-PDSO-N5Single增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING6.5m Ω @ 14A, 4.5V1V @ 250μA7435pF @ 10V61nC @ 4.5V20V±8V56AMO-240BA14A0.0065Ohm226A20VROHS3 Compliant------------
- MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI-19 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN872.007789mgSILICON14A Ta 54A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)DUAL无铅260-40S-PDSO-N5Single增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING8m Ω @ 12A, 4.5V1V @ 250μA6909pF @ 10V72nC @ 4.5V20V±8V54A-----ROHS3 Compliant2014122 ns33ns124 ns8V-20V850μm3.35mm3.35mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR3704ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 20V 60A DPAK | 对比 |
![]() | DMP2008UFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI | 对比 |
![]() | IRFR3704ZTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 20V 60A DPAK | 对比 |




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