FDMC7570S备选型号: IRFH4210DTRPBF
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- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 漏源电压 (Vdss)
- Trans MOSFET N-CH 25V 27A 8-Pin Power 33 T/RACTIVE (Last Updated: 5 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN832.13mgSILICON27A Ta 40A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™2006e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR992MOhmTin (Sn)DUALR-PDSO-N5Single增强型MOSFET59WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING2m Ω @ 27A, 10V3V @ 1mA4410pF @ 13V68nC @ 10V6.8ns±20V4.5 ns40A1.7VMO-240BA20V27A25V1.7 V1.05mm3.3mm3.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-
- MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN--表面贴装表面贴装8-PowerTDFN5--44A Ta-55°C~150°C TJDigi-Reel®HEXFET®2013--Discontinued1 (Unlimited)-EAR991.1MOhm---Single-3.5W-19 nsN-Channel-1.1m Ω @ 50A, 10V2.1V @ 100μA4812pF @ 13V77nC @ 10V45ns±20V16 ns44A1.6V-20V---900μm6mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅25V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH4210DTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN | 对比 |
| FDMS8023S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | 对比 | |
| FDMS2508SDC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 25V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET | 对比 |




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