ON Semiconductor FDMC7570S
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FDMC7570S
1807-FDMC7570S
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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Trans MOSFET N-CH 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R
--最小包装量--
FDMC7570S详情
ON Semiconductor FDMC7570S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
32.13mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
27A Ta 40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.3W Ta 59W Tc
Turn Off Delay Time
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®, SyncFET™
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
2MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
JESD-30代码
R-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
59W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2m Ω @ 27A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4410pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
68nC @ 10V
上升时间
6.8ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.5 ns
连续放电电流(ID)
40A
阈值电压
1.7V
JEDEC-95代码
MO-240BA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
27A
漏源击穿电压
25V
栅源电压
1.7 V
高度
1.05mm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMC7570S拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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