FDMC7678备选型号: IRF8736TRPBF

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  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
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  • 引脚数
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 终端形式
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    180mg
    SILICON
    17.5A Ta 19.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    31W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.3m Ω @ 17.5A, 10V
    3V @ 250μA
    2410pF @ 15V
    39nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    3 ns
    17.5A
    1.5V
    MO-240BA
    20V
    0.0053Ohm
    30V
    70A
    54 mJ
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    18A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.8m Ω @ 18A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2315pF @ 15V
    26nC @ 4.5V
    15ns
    ±20V
    7.5 ns
    18A
    1.8V
    -
    20V
    -
    30V
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    4.8MOhm
    鸥翼
    1.8 V
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