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首页 全部分类 FDMC8010 vs IRF8301MTRPBF

FDMC8010备选型号: IRF8301MTRPBF

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMC8010
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    152.7mg
    SILICON
    30A Ta 75A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    超低电阻
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    54W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 1mA
    5860pF @ 15V
    94nC @ 10V
    7.5ns
    ±20V
    5.3 ns
    30A
    MO-240BA
    20V
    75A
    30V
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8301MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    7
    -
    SILICON
    34A Ta 192A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    超低电阻
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6140pF @ 15V
    77nC @ 4.5V
    30ns
    ±20V
    17 ns
    34A
    -
    20V
    -
    30V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1
    1.7V
    250A
    260 mJ
    无SVHC
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