您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMC8327L vs FDD8647L

FDMC8327L备选型号: FDD8647L

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 生命周期状态
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 宽度
  • 长度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 电阻
  • 终端形式
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMC8327L
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDMC8327L - MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1.7 V
    4 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
    8-PowerWDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    180mg
    SILICON
    12A Ta 14A Tc
    2017
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    S-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.3W
    DRAIN
    8.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.7m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1850pF @ 20V
    26nC @ 10V
    2.2ns
    ±20V
    2.2 ns
    12A
    1.7V
    MO-240BA
    20V
    0.0097Ohm
    40V
    60A
    25 mJ
    150°C
    800μm
    3.3mm
    3.3mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8647L
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    8 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    260.37mg
    SILICON
    14A Ta 42A Tc
    2006
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 13A, 10V
    3V @ 250μA
    1640pF @ 20V
    28nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    2 ns
    14A
    2V
    -
    20V
    -
    40V
    -
    -
    -
    2.39mm
    6.22mm
    6.73mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    13MOhm
    鸥翼
    52A
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDD8647L FDD8647L ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比