您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMC86012 vs BSC020N03MSGATMA1

FDMC86012备选型号: BSC020N03MSGATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMC86012
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    152.7mg
    SILICON
    23A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    54W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.7m Ω @ 23A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    5075pF @ 15V
    38nC @ 4.5V
    11ns
    ±12V
    8 ns
    23A
    MO-240BA
    12V
    0.0027Ohm
    30V
    230A
    337 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC020N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    25A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    -
    -
    增强型MOSFET
    96W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    9600pF @ 15V
    124nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    -
    25A
    -
    16V
    0.0025Ohm
    -
    400A
    200 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    2010
    e3
    雪崩 额定
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    30V
    含铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSC020N03MSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON 对比
FDMS8660AS FDMS8660AS ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 对比
FDMS7660AS FDMS7660AS ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN N-Channel 30 V 42 A 2.4 mOhm Surface Mount PowerTrench® SyncFETTM - Power56 对比