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FDMC86012备选型号: FDMS8660AS
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 已出版
- 电阻
- 无铅
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 1 week ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8152.7mgSILICON23A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®yes活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALS-PDSO-N5Single增强型MOSFET54WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING2.7m Ω @ 23A, 4.5V1.5V @ 250μA5075pF @ 15V38nC @ 4.5V11ns±12V8 ns23AMO-240BA12V0.0027Ohm30V230A337 mJ无ROHS3 Compliant---
MOSFET N-CH 30V 28A POWER56--表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mg-28A Ta 49A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®yesObsolete1 (Unlimited)----Single-2.5W--N-Channel-2.1m Ω @ 28A, 10V3V @ 1mA5865pF @ 15V83nC @ 10V8ns±20V5 ns28A-20V-30V---符合RoHS标准20092.1MOhm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSC020N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON | 对比 |
| FDMS8660AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 | 对比 |
| FDMS7660AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | N-Channel 30 V 42 A 2.4 mOhm Surface Mount PowerTrench® SyncFETTM - Power56 | 对比 |
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