FDMC86116LZ备选型号: DMN10H099SFG-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 电容量
- 通道数量
- MOSFET 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET10 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8180mgSILICON3.3A Ta 7.5A Tc2.2V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2010e4yesACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)1 (Unlimited)5EAR99DUAL26030S-PDSO-N5Single增强型MOSFET19WDRAIN4.5 nsN-ChannelSWITCHING103m Ω @ 3.3A, 10V310pF @ 50V6nC @ 10V1.3ns±20V1.4 ns3.3A20V7.5A100V750μm3.3mm3.3mm无ROHS3 Compliant无铅---
- MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC23 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerVDFN872.007789mg-4.2A Ta3V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2014e3-活跃1 (Unlimited)-EAR99--------5.4 nsN-Channel-80m Ω @ 3.3A, 10V1172pF @ 50V25.2nC @ 10V5.9ns±20V7.3 ns4.2A20V-100V----ROHS3 Compliant-Matte Tin (Sn)1.127nF1
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDT86113LZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 | |
![]() | DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC | 对比 |



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