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首页 全部分类 FDMC86116LZ vs FDD86113LZ

FDMC86116LZ备选型号: FDD86113LZ

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  • 操作温度
  • 包装
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  • 已出版
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • ON Semiconductor
    FDMC86116LZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
    10 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    180mg
    SILICON
    3.3A Ta 7.5A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e4
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    260
    30
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    19W
    DRAIN
    4.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    103m Ω @ 3.3A, 10V
    310pF @ 50V
    6nC @ 10V
    1.3ns
    ±20V
    1.4 ns
    3.3A
    20V
    7.5A
    100V
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD86113LZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
    4 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    4.2A Ta 5.5A Tc
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    3.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    104m Ω @ 4.2A, 10V
    285pF @ 50V
    6nC @ 10V
    1.3ns
    ±20V
    1.6 ns
    4.2A
    20V
    5.5A
    100V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    鸥翼
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