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首页 全部分类 FDMC86160 vs IRLR3110ZPBF

FDMC86160备选型号: IRLR3110ZPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 电阻
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDMC86160
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDMC86160 - MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 100 V, 0.0112 ohm, 10 V, 2.9 V
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    152.7mg
    SILICON
    9A Ta 43A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    54W
    DRAIN
    9.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 9A, 10V
    4V @ 250μA
    1290pF @ 50V
    22nC @ 10V
    3.6ns
    ±20V
    3.4 ns
    43A
    2.9V
    MO-240BA
    20V
    9A
    100V
    50A
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR3110ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    -
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    Single
    -
    140mW
    -
    24 ns
    N-Channel
    -
    14m Ω @ 38A, 10V
    2.5V @ 100μA
    3980pF @ 25V
    48nC @ 4.5V
    110ns
    ±16V
    48 ns
    42A
    2.5V
    -
    16V
    -
    100V
    -
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    14MOhm
    100V
    51 ns
    2.5 V
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