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首页 全部分类 FDMC86260ET150 vs IRF6775MTRPBF

FDMC86260ET150备选型号: IRF6775MTRPBF

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  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMC86260ET150
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    152.7mg
    5.4A Ta 25A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    not_compliant
    Single
    9.5 ns
    N-Channel
    34m Ω @ 5.4A, 10V
    4V @ 250μA
    1330pF @ 75V
    21nC @ 10V
    2ns
    ±20V
    3.3 ns
    25A
    20V
    150V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6775MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MZ
    5
    -
    4.9A Ta 28A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e1
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    -
    5.9 ns
    N-Channel
    56m Ω @ 5.6A, 10V
    5V @ 100μA
    1411pF @ 25V
    36nC @ 10V
    7.8ns
    ±20V
    15 ns
    4.9A
    20V
    150V
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    2007
    3
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    AMPLIFIER
    28A
    39A
    33 mJ
    508μm
    6.35mm
    5.0546mm
    无
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