FDMD82100备选型号: FDMS3662

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • Vgs(最大值)
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    12-PowerWDFN
    12
    82.3188mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    排水源头
    9.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    19m Ω @ 7A, 10V
    4V @ 250μA
    1070pF @ 50V
    17nC @ 10V
    3.2ns
    100V
    3.3 ns
    7A
    20V
    7A
    0.019Ohm
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    15 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    SILICON
    8.9A Ta 49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14.8m Ω @ 8.9A, 10V
    4.5V @ 250μA
    4620pF @ 50V
    75nC @ 10V
    15ns
    -
    6 ns
    8.9A
    20V
    49A
    -
    100V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    14.8MOhm
    DUAL
    R-PDSO-F5
    2.5W
    ±20V
    3.5V
    90A
    3.5 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF7853PBF IRF7853PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC 对比
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC 对比
FDMS3662 FDMS3662 ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET 100V N-Channel PowerTrench 对比