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首页 全部分类 FDMD82100L vs FDMA86151L

FDMD82100L备选型号: FDMA86151L

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 端子位置
  • Vgs（最大值）
  • ON Semiconductor
    FDMD82100L
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    12-PowerWDFN
    12
    82.3188mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    排水源头
    7.9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    19.5m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    1585pF @ 50V
    24nC @ 10V
    2.8ns
    100V
    2.9 ns
    7A
    20V
    7A
    0.0195Ohm
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    15 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMA86151L
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 3.3A 6-MLP
    -
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    30mg
    SILICON
    3.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    无铅
    260
    -
    未说明
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    88m Ω @ 3.3A, 10V
    -
    450pF @ 50V
    7.3nC @ 10V
    1.4ns
    -
    1.6 ns
    3.3A
    20V
    -
    0.088Ohm
    100V
    -
    -
    5 pF
    ROHS3 Compliant
    3V @ 250μA
    DUAL
    ±20V
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FDMA86151L FDMA86151L ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-WDFN Exposed Pad MOSFET N-CH 100V 3.3A 6-MLP 对比