我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
FDMD8260L备选型号: NTMFS5C646NLT1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度（Tj）
- 场效应管特性
- 高度
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET 2N-CH 60V 6-MLPACTIVE (Last Updated: 1 day ago)12 Weeks表面贴装表面贴装12-PowerWDFN1282.3188mg47 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)1W260not_compliant未说明2Dual1W12 ns2 N-Channel (Dual)5.8m Ω @ 15A, 10V3V @ 250μA5245pF @ 30V68nC @ 10V60V15A20V64A60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°CStandard800μmROHS3 Compliant------------------
ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 VACTIVE (Last Updated: 1 day ago)16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-19A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)-未说明not_compliant未说明1Single-10.4 nsN-Channel4.7m Ω @ 50A, 10V2V @ 250μA2164pF @ 25V33.7nC @ 10V-19A20V-60V---1.05mmROHS3 CompliantSILICON20145DUALFLATR-PDSO-F5增强型MOSFETDRAIN14.9ns±20V5.1 ns2V0.0063Ohm750A6.1mm5.1mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS5C646NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
 | FDS86540 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS86540 - MOSFET, N-CH, 60V, 8SOIC | 对比 |
哦! 它是空的。