FDMD8530备选型号: IRFH4210DTRPBF
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 已出版
- 电阻
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 30V 35AACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN894.85095mg-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)2.2W260not_compliant未说明Dual2 N-Channel (Dual)1.25m Ω @ 35A, 10V3V @ 250μA10395pF @ 15V149nC @ 10V30V35A1.5VStandard无SVHCROHS3 Compliant--------------
- MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN--表面贴装表面贴装8-PowerTDFN5--55°C~150°C TJDigi-Reel®HEXFET®--Discontinued1 (Unlimited)EAR99-----SingleN-Channel1.1m Ω @ 50A, 10V2.1V @ 100μA4812pF @ 13V77nC @ 10V25V44A1.6V-无SVHCROHS3 Compliant44A Ta20131.1MOhm3.5W19 ns45ns±20V16 ns20V900μm6mm5mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH4210DTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN | 对比 |
![]() | STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56 | 对比 |
| FDMS7558S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin Power 56 T/R | 对比 |




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