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首页 全部分类 FDMD8540L vs IRF2804STRL7PP

FDMD8540L备选型号: IRF2804STRL7PP

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  • 场效应管特性
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  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 功率耗散
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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMD8540L
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    94.85095mg
    33A 156A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.3W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Dual
    2 N-Channel (Half Bridge)
    1.5m Ω @ 33A, 10V
    3V @ 250μA
    7940pF @ 20V
    113nC @ 10V
    40V
    156A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF2804STRL7PP
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    7
    -
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    260
    -
    30
    Single
    N-Channel
    1.6m Ω @ 160A, 10V
    4V @ 250μA
    6930pF @ 25V
    260nC @ 10V
    -
    320A
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2003
    6
    1.6MOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    40V
    鸥翼
    160A
    R-PSSO-G6
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    13 ns
    SWITCHING
    150ns
    ±20V
    105 ns
    4V
    20V
    40V
    65 ns
    4 V
    4.5466mm
    10.5mm
    8.15mm
    无SVHC
    无
    含铅
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