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首页 全部分类 FDMD8540L vs IRFS7437-7PPBF

FDMD8540L备选型号: IRFS7437-7PPBF

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 已出版
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  • 接通延迟时间
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMD8540L
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    94.85095mg
    33A 156A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.3W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Dual
    2 N-Channel (Half Bridge)
    1.5m Ω @ 33A, 10V
    3V @ 250μA
    7940pF @ 20V
    113nC @ 10V
    40V
    156A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7437-7PPBF
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6 Tab) D2PAK Tube
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
    7
    -
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    N-Channel
    1.4m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 150μA
    7437pF @ 25V
    225nC @ 10V
    40V
    195A
    -
    ROHS3 Compliant
    2005
    231W
    18 ns
    62ns
    ±20V
    51 ns
    2.2V
    20V
    37 ns
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    无铅
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