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FDMD86100备选型号: FDS86140
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET 2N-CH 100VACTIVE (Last Updated: 1 day ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN897.95918mg-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)2.2W260not_compliant未说明Dual2 N-Channel (Dual) Common Source10.5m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA2060pF @ 50V30nC @ 10V100V10AStandardROHS3 Compliant-------------------------
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 2 days ago)9 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8130mg-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4yes活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)----SingleN-Channel9.8m Ω @ 11.2A, 10V4V @ 250μA2580pF @ 50V41nC @ 10V-11.2A-ROHS3 CompliantSILICON11.2A Ta20118ULTRA-LOW RESISTANCEDUAL鸥翼增强型MOSFET5W13.7 nsSWITCHING5.6ns±20V4.8 ns2.7V20V100V2.7 V30 pF1.5mm4mm5mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDD86110 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100 V, 50 A, 10.2 mO | 对比 |
| FDS86140 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 |
 | FDMD85100 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-PowerWDFN | MOSFET 2N-CH 100V | 对比 |
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