FDME1034CZT备选型号: ZXMN2F34FHTA
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 接通延迟时间
- Vgs(最大值)
- 无铅
- MOSFET 20V Complementary PowerTrenchACTIVE (Last Updated: 1 day ago)16 Weeks表面贴装表面贴装6-UFDFN Exposed Pad625.2mgSILICON3.8A 2.6A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)ESD PROTECTION1.4WDual增强型MOSFET1.3WDRAIN600mWN and P-ChannelSWITCHING66m Ω @ 3.4A, 4.5V1V @ 250μA300pF @ 10V4.2nC @ 4.5V4.8ns20VN-CHANNEL AND P-CHANNEL16 ns3.8A700mV8V3.4A-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门700 mV40 pF500μm1.6mm1.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant----------
- MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET-16 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-337.994566mgSILICON3.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)--Single增强型MOSFET1.4W--N-ChannelSWITCHING60m Ω @ 2.5A, 4.5V-277pF @ 10V2.8nC @ 4.5V4.2ns--4.2 ns4A800mV12V4A20V----1.02mm3.04mm1.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant1.5V @ 250μA60mOhmDUAL鸥翼2604012.65 ns±12V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6305N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC6305N - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SUPER SOT-6 | 对比 | |
![]() | ZXMN2F34FHTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET | 对比 |



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