FDML7610S备选型号: IRF8113TRPBF
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 已出版
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 配置
- 行间距
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 30V 12A/17A 8-Pin MLP EP T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)23 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8300mgSILICON12A 17A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®yes活跃1 (Unlimited)6EAR992.2WR-PDSO-N6Dual增强型MOSFET2.2W800mW 900mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING7.5m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1750pF @ 15V28nC @ 10V17A20V60A0.0075Ohm30V40AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.8 V750μm3mm4.5mm无SVHC无ROHS3 Compliant--------------
- MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC-12 Weeks-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8--17.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®-活跃1 (Unlimited)-EAR99---增强型MOSFET2.5W-N-Channel-5.6m Ω @ 17.2A, 10V2.2V @ 250μA2910pF @ 15V36nC @ 4.5V17.2A20V--30V---2.2 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant2005SMD/SMT5.6MOhm30V16.6ASingle6.3 mm13 ns8.9ns±20V3.5 ns2.2V30VContains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7600AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerWDFN | MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench | 对比 | |
| FDMS7700S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerWDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 12A/22A 8-Pin Power 56 T/R | 对比 |



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